Источник: ITC.ua
Компания Samsung Electronics сегодня сообщила о начале массового производства первых в индустрии модулей памяти GDDR6, предназначенных для использования в видеокартах, игровых, сетевых и автомобильных устройствах, а также системах искусственного интеллекта.
Модули GDDR6-памяти емкостью 16 Гбит (2 ГБ) изготовлены по техпроцессу 10 нм класса (в компанию уточняют, что это значит техпроцесс в пределах от 10 до 19 нм), что вдвое превосходит решение предыдущего поколения в виде GDDR5-чипов объемом 8 Гбит (1 ГБ), выполненных по 20 нм техпроцессу.
Новая память обеспечивает скорость 18 Гбит/с в расчете на один вывод (pin speed), что позволяет передавать данные на скоростях до 72 Гбайт/с, что в свою очередь более чем вдвое быстрее, чем в случае со старой памятью GDDR5, которая выдавала скорость 8 Гбит/с.
Использование нового схемодизайна позволило использовать более низкое напряжение питания 1,35 В, что снижает затраты энергии на 35% по сравнению с модулями памяти GDDR5, работающими от напряжения 1,55 В.
Более “тонкий” техпроцесс также позволил повысить эффективность производства примерно на 30% по сравнению с 20 нм стандартом.
По мнению представителей Samsung Electronics, старт массового производства памяти GDDR6 должен сыграть критически важную роль в более скором появлении на рынке видеокарт следующего поколения, а также других быстро растущих сегментов с высокими требованиями к видеопамяти, включая системы обработки 8K Ultra HD видео, виртуальной и дополненной реальности, а также искусственного интеллекта.
Недавно Samsung начал серийный выпуск второго поколения сверхбыстрой памяти High Bandwidth Memory-2 (HBM2) емкостью 8 ГБ, которая обеспечивает суммарную пропускную способность в 307 ГБ/с (у первого поколения – 256 ГБ/с), что в 9,6 раза превышает показатель микросхемы GDDR5 объемом 8 Гбит, равный 32 ГБ/с.
Самые актуальные новости - в 
