Компания SK hynix заявила, что её удалось разработать чипы памяти DRAM DDR4 (Double Data Rate 4) ёмкостью 16 Гбит, которые изготавливаются по нормам технологии класса 1Z нм.
Отмечается, что 16 Гбит – это рекордная в отрасли плотность хранения данных для одного чипа. Благодаря этому удалось достичь рекордного значения плотности DRAM для одной кремниевой пластины. В результате, производительность выпуска чипов с одной пластины увеличилась примерно на 27% по сравнению с предыдущей технологией класса 1Y. Кроме того, для производственного процесса не требуется дорогостоящей фотолитографии в глубоком ультрафиолете, что делает эту технологию более конкурентоспособной с точки зрения затрат
Новая технологий обеспечивает и ряд других преимуществ. В частности, новая память DRAM, изготовленная по нормам технологии класса 1Z нм, поддерживает скорость передачи данных до 3200 Мбит/с, что является самым высоким результатом для интерфейса DDR4. Кроме того, новинка обеспечивает прирост энергоэффективности. Модули на базе новых чипов потребляют на 40% меньше энергии по сравнению с модулями такой же ёмкости, где используются чипы ёмкостью 8 Гбит, изготовленные по нормам технологии класса 1Y нм.
В дальнейшем SK hynix намерена внедрить производственную технологию класса 1Z нм и для изготовления других продуктов, таких как LPDDR5 и HBM3.
Источник: ITC.ua
Самые актуальные новости - в 
