Samsung начала массовое производство микросхем памяти LPDDR5 DRAM плотностью 12 Гбит для флагманских смартфонов

Компания Samsung Electronics, лидирующая на рынке памяти DRAM, объявила о начале массового выпуска первых в отрасли микросхем памяти LPDDR5 DRAM плотностью 12 Гбит. Новая оперативная память производится по технологии 10-нанометрового класса второго поколения (1y нм). Она предназначена для флагманских смартфонов нового поколения и, по словам производителя, оптимизирована для сетей 5G и систем искусственного интеллекта.

Отметим, что Samsung Electronics освоила выпуск новой памяти LPDDR5 DRAM менее чем за полгода с момента начала массового производства кристаллов LPDDR4X такой же плотности по тем же нормам 1y нм. Уже до конца этого месяца компания планирует начать массовый выпуск модулей LPDDR5 объемом 12 ГБ, упаковывая 8 подобных микросхем в один корпус, а в следующем году разработать кристаллы LPDDR5 DRAM плотностью 16 Гбит.

Если сравнивать новую память с предыдущими микросхемами LPDDR4X, выигрыш в производительности достигает 1,3 раза. Пропускная способность новой памяти составляет 5500 Мбит/с по одной линии против 4266 Мбит/с у LPDDR4X. Производитель заявляет, что в модулях объемом 12 ГБ эта память позволит передавать 44 ГБ данных (12 фильмов в высоком разрешении Full HD) всего за секунду.

Производитель также заявляет, что новые модули оперативной памяти потребляют до 30% меньше электроэнергии, это позволяет смартфонам работать еще дольше без подзарядки. Снизить энергопотребление удалось за счет новых схемотехнических решений, улучшенной синхронизации и прочих улучшений.

Судя по всему, 12-гигабайтная память LPDDR5 DRAM появится уже в грядущих моделях Samsung флагманской серии Galaxy Note10. В зависимости от уровня спроса Samsung может перенести производство на свой второй завод в Пхёнтхэке, как только тот будет построен (ожидается, что это произойдет в следующем году).

В заключение — таблица с хронологией освоения Samsung выпуска новых чипов мобильной DRAM-памяти.

Источник: ITC.ua

Нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент и нажмите Ctrl+Enter.

Читайте также

Вверх

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: