На конференции Samsung Foundry Forum 2019 компания Samsung Electronics, которая в этом году отмечает свое 50-летие, объявила о планах по дальнейшему развитию технологических процессов полупроводникового производства.
В частности, представители южнокорейского гиганта отметили, что 3-нм техпроцесс Gate-All-Around (3GAE) идёт полным ходом и показали дорожную карту, включающую четыре техпроцесса на основе FinFET от 7 до 4 нм, в которых используется технология экстремального ультрафиолета (EUV), наряду с 3 нм GAA или MBCFET.
Samsung представила пакет Process Design Kit (PDK) 0.1 для разработки чипов с использованием 3GAE. С его помощью можно проектировать 3-нм решения или заблаговременно подготовиться к этому техпроцессу.
По сравнению с 7-нм процессом 3GAE от Samsung обеспечит сокращение площади кристалла на 45% при снижении энергопотребления на 50% или увеличении производительности на 35%.
Ожидается, что новый техпроцесс на основе Gate-All-Around будет широко использоваться в приложениях следующего поколения: в смартфонах, сетях, автомобилях, AI и IoT устройствах.
Samsung Electronics также запустила программу Advanced Foundry Ecosystem Cloud (SAFE-Cloud), которая предоставляет клиентам компании гибкую среду проектирования благодаря сотрудничеству с основными поставщиками общедоступных облачных услуг (Amazon Web Services (AWS) и Microsoft Azure), а также компаниями Cadence и Synopsys, предоставившими свои системы проектирования.
Используя платформу SAFE-Cloud, Samsung удалось ускорить разработку своих 7-нм и 5-нм библиотек в сотрудничестве с Synopsys.
В дальнейших планах компании – запуск массового производства чипов с использованием 6-нм техпроцесса и завершение разработки 4-нм техпроцесса во второй половине текущего года.
Ожидается, что разработка первых продуктов Samsung с использованием 5-нм техпроцесса будет завершена этой осенью, а массовое производство стартует в первой половине 2020 года.
Напомним, осенью прошлого года Samsung первой приступила к производству 7-нм продукции с использованием EUV-литографии.
Подписывайтесь на наш Telegram канал
Источник: ITC.ua
Самые актуальные новости - в 
