Источник: ITC.ua
Компании Samsung Electronics и ARM работают над совместным проектом, который позволит создавать мобильные процессоры с рабочей частотой выше 3 ГГц и техпроцессом 5-7 нм FinFET.
За технологии производства 7LPP (7nm Low Power Plus) и 5LPE (5nm Low Power Early) отвечает Samsung Electronics, тогда как архитектура Artisan physical IP является разработкой компании ARM для процессоров на основе ядер ARM Cortex-A76.
По словам представителей Samsung, 7 нм техпроцесс 7LPP будет готова для коммерческого использования уже во второй половине 2018 года, тогда как фотолитография в глубоком ультрафиолете (ultra violet lithography, EUV) еще находится на стадии разработки, завершение которой ожидается в первой половине 2019 года.
Следующим на очереди стоят 5 нм техпроцесс 5LPE (5nm Low Power Early) и 3 нм техпроцесс Gate-All-Around-Early (GAAE).
В компании ARM отметили, что 7 нм процессоры на основе ядер Cortex-A76 на частоте 3,0 ГГц будут на 35% быстрее, чем 10 нм процессоры Cortex-A75 на частоте 2,8 ГГц, при этом энергопотребление сократится сразу на 40%.
Разработчики называют процессоры на основе ядер ARM Cortex-A76 «чипами лэптоп-класса», то есть их вполне можно будет использовать не только в смартфонах и планшетах, но и в более требовательных к производительности устройствах.
Отметим, что более «мелкий» техпроцесс позволяет сократить размеры, энергопотребление и тепловыделение процессоров, что в свою очередь положительно влияет на автономность устройств.
В свою очередь конкурирующая TSMC вышла на коммерческие объемы производства 7 нм процессоров Apple A12 и уже запланировала $25 млрд инвестиций на внедрение 5 нм техпроцесса.
Ранее сообщалось, что Samsung разрабатывает собственный графический процессор, предназначенный для интеграции в однокристальные системы для мобильных устройств.