Western Digital и ее стратегический партнер Kioxia (бывшая Toshiba Memory) готовят к выпуску новую флэш-память 3D NAND высокой плотности, в которой будет 112 слоев с ячейками памяти. Эта новая память имеет номенклатурное обозначение BiCS5 и является эволюционным развитием 96-слойной BiCS4.
Плотность первых кристаллов BiCS5 типа TLC (3 бита на ячейку) — 512 Гбит. В будущем планируется выпуск разновидностей TLC объемом 1 Тбит и QLC на 1,33 Тбит.
Судя по всему, 112-слойная память BiCS5 имеет ту же двухплоскостную компоновку, что и 96-слойная BiCS4. Разница лишь в увеличенном количестве слоев в стеках — по 56 в каждом. И хотя 112 слоев соответствует ~16% увеличению по сравнению с предыдущим поколением, разработчики говорят об увеличении плотности до 40% (сравнивая 112-слойную TLC емкостью 512 Гбит с 96-слойной TLC емкостью 256 Гбит). Повышение плотности было достигнуто, в том числе, благодаря конструктивным усовершенствованиям, позволившим сократить размеры горизонтальных связей. Сообщается, что плотность самого массива памяти на 20% выше. Кроме повышения плотности, которое должно привести к снижению себестоимости, в новой памяти скорость интерфейса была увеличена на 50% — до 1,2 ГТ/с (млрд передач в секунду), что примерно соответствует показателям конкурентов 96L.
Стоит отметить, что конкуренты опередили Western Digital и Kioxia при переходе на чипы 3D NAND с числом слоев 100+. SK Hynix и Micron представили 128-слойные микросхемы в середине прошлого года, а Intel в этом году планирует выпуск SSD на 144-слойных чипах 3D NAND QLC.
Коммерческое производство 112-слойной флэш-памяти 3D NAND плотностью 512 Гбит планируется начать во второй половине этого года. Выпускать новую память будут на заводах Western Digital и Kioxia, расположенных в японских городах Йоккаити и Китаками. В то же время первые коммерческие SSD на базе новой памяти и другие устройства ожидаются в лучшем случае под конец этого года.
Ранее Western Digital заявляла, что переход на BiCS5 требует меньших капиталовложений в модернизацию производство, чем при переходе с 64L на 96L, что полностью меняет тенденцию со стабильным повышением цен на готовую продукцию при каждой смене поколений. Это означает, что переход на 112L, вероятно, будет проходить еще медленнее, а предыдущее поколение памяти 96L BiCS4 будет занимать большую часть объема производства еще достаточно долго.
Источник: ITC.ua
Самые актуальные новости - в 
