Samsung теперь планирует перейти на техпроцесс 3 нм в 2022 году. Для выпуска продукции будут использоваться транзисторы нового поколения MBCFET

TSMC, как известно, уже полностью развернула серийный выпуск 5-нанометровой продукции, но из-за пандемии отстанет от графика освоения следующего шага технологических норм (3 нм) как минимум на полгода. На прошлой неделе сообщалось, что по той же причине Samsung перенесла начало серийного производства 3-нанометровой продукции на 2022 год. И вот сейчас появилось подтверждение, что южнокорейский гигант теперь действительно ориентируется на 2022 год. Напомним, до недавнего времени Samsung планировала освоить техпроцесс 3 нм в 2021 году.

Одновременно появились новые подробности о фирменной технологии Multi-Bridge-Channel FET(MBCFET), которая станет ключом к переходу на нормы 3 нм, сменив используемую сейчас технологию FinFET.

Для начала стоит отметить, что Samsung MBCFET — это фирменная реализация архитектуры транзисторов gate-all-around FET (GAAFET), о которой мы уже не раз писали. Последняя разрабатывается с 2000 года альянсом, в который кроме Samsung еще входят IBM и Globalfoundries. GAAFET отличается от FinFET тем, что канал транзистора окружен затвором не с трех сторон, а с четырех (отсюда и название), что позволяет преодолеть физические ограничения по масштабированию, которые имеет FinFET с монолитной вертикальной конструкцией канала в виде «плавника». У GAAFET каналы транзисторов представляют собой нанопровода (они сформированы из нескольких горизонтальных кремниевых «нанолистов»). Более наглядное представление можно получить из изображения выше.

1
1
1

Как видим, реализация MBCFET от Samsung несколько отличается от референсной архтктуры. Особенностью MCBFET является возможность размещения транзисторов стопкой с целью повышения плотности компоновки и экономией места по сравнению с FinFET. Кроме того, для  MCBFET характерна гибкость — можно менять ширину транзисторов в стеке в соответствии с конкретными техническими требования. То есть, речь об оптимизации по энергопотреблению или быстродействию.

По сравнению с предыдущей технологией (вероятно, речь о техпроцессе 7 нм), следующий технологический узел 3 нм позволит уменьшить площадь микросхемы на 45% при одновременном снижении потребления энергии на 50% или повышении производительности на 33%.

Источник: ITC.ua

Читайте также

Вверх