Samsung отгрузила первый миллион модулей DDR4, изготовленных с применением EUV-литографии, и планирует начать производство DDR5 в 2021 году

В следующем году компания Samsung планирует начать производство памяти DDR5 и LPDDR5, используя технологию фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUVL). Фактически, Samsung уже некоторое время занимается изготовлением чипов DRAM с использованием технологии EUVL и уже проверила соответствующую память DDR4 с некоторыми партнёрами.

На сегодняшний день Samsung произвела и поставила на рынок уже миллион модулей DDR4 DRAM на основе микросхем, изготовленных по собственной технологии D1x, в которой используется литография EUV. Эти модули прошли оценку клиентов, и это доказывает, что технология Samsung EUV DRAM первого поколения позволяет создавать годные микросхемы. При этом технология Samsung D1x представляет собой экспериментальный процесс использования EUVL. На основе такой технологии изготавливаются экспериментальные модули DDR4 DRAM, и в дальнейшем она не будет использоваться для коммерческого производства, заявляет компания.

Samsung отправила партнёрам уже миллион модулей DDR4, изготовленных с применением EUV литографии и готовится к производству модулей DDR5 в 2021 году

Вместо этого для производства памяти DDR5 и LPDDR5 в следующем году Samsung будет использовать свою технологию D1a. Это существенно улучшенная технология производства 14-нанометрового класса с использованием слоёв EUV. Ожидается, что эта технология удвоит выход продукции на каждую пластину (выход битов DRAM) по сравнению с технологией D1x. Компания не уточняет, используются ли в технологии D1a другие новшества (в дополнение к EUVL).

Samsung отправила партнёрам уже миллион модулей DDR4, изготовленных с применением EUV литографии и готовится к производству модулей DDR5 в 2021 году

Использование EUVL позволит Samsung (и, в конечном итоге, другим производителям памяти) сократить (или исключить) использование нескольких структур, а это повышает продуктивность и производительность. Таким образом, производители смогут выпускать высокопроизводительные чипы DDR5 большой емкости. Samsung пока что официально не сообщает, сколько слоев EUV использует в своих технологических процессах D1x и D1a.

Источник: ITC.ua

Читайте также

Вверх